侧边抛磨SMS光纤传感器
采用轮式侧边抛磨技术对单模多模单模光纤结构的多模光纤部分进行侧边抛磨处理,研究了不同抛磨深度情况下该光纤结构对环境折射率的传感特性.结果显示,单模多模单模光纤结构的光谱特性曲线中存在多个损耗峰,这是由多模光纤中多种高阶模式相互干涉形成的.当单模多模单模光纤结构被侧边抛磨到接近纤芯时,光谱没有发生较大变化,只是各损耗峰波长发生了不同程度的漂移;但是,当抛磨掉部分纤芯时,单模多模单模光纤结构的光谱曲线发生较大变化,抛磨后单模多模单模光纤结构对外环境折射率变化敏感.当抛磨区深度为10 μm,长度为20 mm时,折射率传感器的最高灵敏度只有703.2 nm/RIU;当抛磨区深度为15 μm时,最高灵敏度为798 nm/RIU;当抛磨区深度为20 μm时,最高灵敏度高可达1 190 nm/RIU.研究表明,通过侧边抛磨单模多模单模光纤结构可实现一种新型的光纤折射率传感器,且可通过增加抛磨深度来提高该传感器对折射率的传感灵敏度.
侧边抛磨、光纤、单模多模单模光纤结构、传感器、折射率、多模光纤、多模干涉
42
TN253;TP212(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金.61177075,11004086,61008057;广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目2012A032300016;中央高校基本科研业务费专项资金.21612437,21613405;广东高校优秀青年创新人才培养计划项目LYM10024;深圳市传感器技术重点实验室开放基金SST201204
2013-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1187-1192
