非晶硅太阳电池结构模拟设计

摘要：

为了从理论上分析提高非晶硅太阳能电池的转化效率,运用微电子和光子结构分析一维器件模拟程序模拟非晶硅太阳电池a-SiC:H/a-Si:H/a-Si:H结构,分析比较了不同前端接触透明导电层的功函数ΦITO、禁带宽度、本征层厚度、掺杂浓度、缺陷态密度等因素对太阳电池性能的影响.模拟得到,在功函数达到5.1 eV,禁带宽度1.8 eV,本征层厚度265 nm等最优化条件下,非晶硅太阳能电池转化效率达到9.855%,比一般非晶硅太阳能电池转化效率高近2%.

关键词：非晶硅、太阳电池、模拟、性能参量

所属期刊栏目：40

分类号：TM914.4

资助基金：智能型太阳光导入照明系统的设计与开发项目2009C23G2080009

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：204-208