一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备

摘要：

采用Li3N掺杂电子注入层Alq3:Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3:Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3N n型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力;在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层,降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒,改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能,完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.

关键词：有机发光器件、倒置底发射结构、Li3N、n型掺杂、势垒

所属期刊栏目：40

分类号：TN873.3(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB327701;吉林省科技厅支撑计划重点项目20093056

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：199-203