采用Li3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究
相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3:Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.
有机发光器件、氮化锂、n型掺杂、电子注入层
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TN873.3(无线电设备、电信设备)
国家重点基础研究发展计划2010CB327701;吉林省科技厅支撑计划重点项目20093056
2011-04-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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