双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性

摘要：

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.

关键词：InGaN/GaN多量子阱、双波长、发光二极管、金属有机化学气相沉权

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分类号：O433.4(光学)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金、广东省教育部产学研结合项目2009B090300338;广东省自然科学基金8521063101000007;华南师范大学学生课外科研重点课题项目10GDKC07

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：190-193