1550 nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长

摘要：

基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5 μm 波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1 nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.

关键词：异质结、晶体管激光器、外延结构、掺杂扩散、量子阱退化

所属期刊栏目：39

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家国际科技合作计划2008DFA11010

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1409-1412