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10.3788/gzxb20103904.0626

在LiNbO3:Fe晶体中写入Y结孤子的实验研究

引用
采用振幅掩模穿过部分空间非相干光的方法产生一暗迹,将暗迹成像在晶体前表面,得到入射暗迹半高宽为16.75 μm,入射光功率为400 μW.基于LiNbO3:Fe晶体的强光伏效应,在无背景光辐照时,在晶体内写入一对部分空间非相干Y结暗光伏孤子.实验结果表明:在无背景光辐射时可以在LiNbO3:Fe晶体内写入部分空间非相干Y结孤子.

空间光孤子、振幅掩模、部分空间非相干、Y结孤子

39

O437.5(光学)

2010-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

626-629

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1004-4213

61-1235/O4

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