GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算

摘要：

为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现GaN/AlN为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62eV,与实验值很接近.通过使用常用的平均键能法、平均势法和芯态法三种近似方法对GaN/AlN带阶的计算,比较得出,超原胞法虽然计算量较大,但能够给出异质结界面附近更为详细的信息,这一点其他三种近似方法无法得到,但他们也能够得出与实验值基本一致的带阶参量.

关键词：第一性原理、GaN/AlN、超原胞法、异质结带阶

所属期刊栏目：38

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10474078

在线出版日期：2010-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：3097-3099