金阴极微通道板能谱响应的理论研究
分析了金阴极微通道板在X射线段(0.1~10 keV)的能谱响应,从阴极量子效率,X射线在通道材料中的衰减,微通道壁的铅层的光电效应,微通道板通道增益等多个方面进行综合计算,结果表明:得出较完善的阴极型微通道板能谱响应理论公式及其数值模拟曲线.在只考虑一个通道,增益值为1时,微通道板的能谱响应完全取决于金阴极的量子效率,若考虑多通道效应,微通道板的能谱响应受通道材料元素吸收边的影响发生突变,且通道数目越多,影响越显著;能谱响应随电压增大呈增长趋势,但会受到微通道板饱和电流的限制.实验给出了微通道板能谱响应与入射角的关系曲线,确定了能获得增益的最小入射角.
微通道板、能谱响应、光电效应、金阴极、量子效率
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TN144.1;O434.12(真空电子技术)
国家高技术项目资助
2009-12-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
2495-2500