HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响

摘要：

以甲烷、硅烷和氢气为反应气体,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响,当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时,薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400 nm左右减小到40 nm左右.

关键词：纳米晶体、SiC薄膜、HFCVD、氢气流量

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：陕西省自然科学基金项目SJ08ZT058;陕西省教育厅专项科研计划项目08JK450;西北大学研究生创新基金07YZZ29

在线出版日期：2009-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：823-826