纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究

摘要：

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15 nm、17 nm和21 nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126 nm窄化到33 nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47 130 cd/m2,最大发光效率为9.543 83 cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.

关键词：P型掺杂纳米硅薄膜、聚合物有机电致发光器件、微腔

所属期刊栏目：38

分类号：TN321+.93(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划"863"平板显示专项2004AA303570;国家自然科学基金重点基金60437030

在线出版日期：2009-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：813-817