Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究

摘要：

在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱.解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的"蓝移现象"及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流-电压特性曲线及电导-电压特性曲线的特征和出现的"负阻效应".

关键词：超晶格、单势阱、吸收光谱、蓝移、隧道效应

所属期刊栏目：35

分类号：O437(光学)

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1930-1933