应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响

摘要：

采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响.

关键词：InP/InGaAsP、偏振相关损耗、应力、差分群时延、多量子阱、Stokes模型

所属期刊栏目：35

分类号：TN929.11

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA31230

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1837-1841