硅基二氧化硅波导和SOI脊型波导应力双折射研究

摘要：

采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI(Silicon on Insulator)脊型波导内部残留热应力引起的双折射.对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10-4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-5,对于上包层为SiO2的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-3,可见在硅基二氧化硅波导和上包层为SiO2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射,而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小.

关键词：光波导、应力、双折射、有限元方法

所属期刊栏目：35

分类号：TN252(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2006-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：201-204