半导体超晶格子带间跃迁光吸收理论研究

摘要：

从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1-xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量(阱宽,垒宽,势垒高)的变化关系.计算表明:随着入射光光子能量的变化,出现非对称的吸收峰;光强只改变吸收系数大小;超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率.随着超晶格阱宽(垒宽)的增大,吸收谱由宽变窄,吸收峰红移;随着超晶格Al组分变大,吸收谱变窄.

关键词：非线性光学、子带间吸收、Kronig-Penney模型、超晶格

所属期刊栏目：35

分类号：O437(光学)

资助基金：北京市教委科技发展计划项目2228132

在线出版日期：2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：61-64