SiC1-xGex/SiC异质结光电二极管特性的研究

摘要：

使用二维器件模拟软件Medici,对SiC1-xGex/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为1μm,P型轻掺杂SiC-1xGex层厚为0.4μm,二者之间形成突变异质结.在反向偏压3 V、光强度为0.23 W/cm2的条件下,p-n+SiC0.8 Geo.2/SiC和p-n+SiC0.7 Ge0.3/SiC敏感波长λ分别可以达到0.64μm和0.7μm,光电流分别为7.765×10-7A/μm和7.438×10-1A/μm;为了进一步提高SiC1-xGex/SiC异质结的光电流,我们把p-n+两层结构改进为p-i-n三层结构.在同样的偏压、光照条件下,p-i-n SiC0.8Ge0.2/SiC和p-i-n SiC0.7Ge0.3/SiC的光电流分别达到1.6734×10-6A/μm和1.844×10-6A/μm.

关键词：SiC1-xGex、异质结、吸收系数

所属期刊栏目：34

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60376011

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：205-208