掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响

摘要：

通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况,得到了在不同的P型掺杂程度下,限制层Al组分与LED发光效率的关系,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律,得到的结论对于LED的器件结构设计以及MOCVD材料生长有一定的指导意义.

关键词：AlGaInP、Al组分、掺杂、发光效率

所属期刊栏目：33

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目00-068

在线出版日期：2004-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：310-313