激光直写光刻中线条轮廓的分析
考虑了光刻胶对光吸收作用,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布.使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓,为直写光刻中曝光量的选择提供了依据.实验结果分析与理论分析的结果一致.
激光直写光刻、曝光量、线条轮廓
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TN247;TN305.7(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60078006;中国科学院知识创新工程项目
2004-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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