SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响

摘要：

利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和结构进行了研究,结果发现,随着缺陷密度的减少,黄光输出强度也有所降低,因此,黄光输出强度与缺陷有很大的关系.

关键词：GaN、异质外延、光致发光、扫描电子显微术、X光衍射

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划;国防预研基金41308060106

在线出版日期：2003-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1340-1342