60Coγ和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算

摘要：

本文提出了计算高能电子和γ非电离能量损失(NIEL)的M onte Carlo方法,首次利用Monte Carlo方法计算了高能电子和60Coγ的NIEL .给出了电子和60Coγ在半导体硅材料中产生的NIEL和缺陷分布.计算结果与文献的比较表明模型是合理的.

关键词：辐射损伤、能量沉积、Monte Carlo

所属期刊栏目：29

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家预研基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：415-419