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10.16560/j.cnki.gzhx.20220214

氮掺杂改性四方钨青铜结构铌酸盐及光电催化性能

引用
通过熔盐法制备合成四方钨青铜结构材料Sr2KNb5O15(SKNO),并运用热氨解法对材料进行N掺杂改性,探究了掺杂温度对光电催化性能的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、稳态荧光光谱仪(PL)等对N掺杂前后的SKNO样品进行了表征.试验结果表明,掺杂温度在400℃下即可成功实现N元素的掺杂,同时N元素的引入成功降低了材料的禁带宽度,使材料的光吸收范围拓宽至可见光区域.一个标准太阳光下,400℃进行N掺杂的样品相对未掺杂的样品,光电催化性能提高约6倍.

四方钨青铜结构、光电催化、氮掺杂、带隙工程、水分解

47

TB321(工程材料学)

2022-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

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