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10.3969/j.issn.1001-9677.2023.09.020

氢氟酸清洗晶圆表面氮氧化硅材料导致缺陷的研究

引用
在晶圆制造过程发现了一种制程缺陷:晶圆表面薄膜是氮氧化硅用氢氟酸清洗后,晶圆表面经常发现圆球形状的缺陷.随着制程越来越先进,这样的异常缺陷越来越重要,会越来越引起广泛的关注及研究.本研究通过产生缺陷的原理及考察了相关清洗酸的性质和清洗机台结构,根据实验得出最佳的制程条件:使晶圆表面的氮氧化硅与晶圆表面残留的氢氟酸溶液反应的产物原硅酸立即溶解,阻止了原硅酸分解成偏硅酸从而解决了制程缺陷.

球状缺陷、清洗、氮氧化硅、原硅酸、偏硅酸、氢氟酸

51

TN305.97(半导体技术)

2023-08-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

66-68

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1001-9677

44-1228/TQ

51

2023,51(9)

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