V掺杂ZnO薄膜磁控溅射制备及其压敏性能

摘要：

用磁控溅射成功制备出V掺杂ZnO压电薄膜.在不同温度对样品进行退火处理,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的表面形貌、晶体结构和表面化学状态进行表征,并测量了不同退火温度下薄膜样品的电流密度(J)-电压(V)曲线.结果表明,高温退火后V向ZnO晶格内部迁移,引起晶格畸变,形成表面氧空位.随着退火温度的升高,非线性系数先增大后减小,薄膜的压敏电压逐渐增大,漏电流密度先减小后增大.800℃退火后样品表面氧空位浓度最高,薄膜具有较为理想的综合电性能,其非线性系数为15.19,压敏电压为5.13 V,漏电流密度为0.42μA·mm-2.

关键词：ZnO陶瓷薄膜、掺杂、磁控溅射、XPS、退火温度

所属期刊栏目：50

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：湖北省自然科学基金;华中科技大学实验技术研究项目;华中科技大学实验技术研究项目;华中科技大学实验技术研究项目

在线出版日期：2022-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：78-80