10.3969/j.issn.1001-9677.2022.13.029
GaNbO4晶体掺杂生长及氧空位缺陷调控的研究
采用提拉法成功生长出不同掺杂浓度的Mg:GaNbO4晶体,并对晶体进行了表征;XPRD测试结果表明,晶体具有与GaNbO4晶体相同的晶体结构,同属单斜晶系,C2/m空间群;Laue衍射测试结果表明,晶体结晶性良好,可利用性较高;XPS测试结果表明,Mg2+有效掺杂进GaNbO4晶体中,且因杂质自补偿效应,调控了晶体中氧空位缺陷的浓度;晶体退火后,氧空位缺陷的浓度再次大幅度升高.
Mg:GaNbO4晶体、提拉法、XPRD、氧空位缺陷
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O643(物理化学(理论化学)、化学物理学)
2022-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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