光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响

摘要：

采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40％)C2H5OH(99％)H2O=171(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列.研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同.最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列.

关键词：光电化学腐蚀法、多孔硅阵列、工艺优化、结构规整

所属期刊栏目：48

分类号：TQ035(一般性问题)

资助基金：西南科技大学龙山人才科研支持计划18LZX438

在线出版日期：2020-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：45-48,61