铁氰化钴衍生氢氧化钴的电化学性能

摘要：

以铁氰化钴(Co-PBA)纳米立方体为模板和前体,用水热碱处理得到其衍生物.利用扫描电镜、X射线粉末衍射仪、 红外光谱和N2吸脱附分析仪对衍生物的形貌和微观结构进行表征,并用循环伏安法和电流充放电法评价其电化学性能.结果表明:在100℃条件下使用0.2 M NaOH水热碱处理8 h后,铁氰化钴转变为介孔的氢氧化钴纳米立方体,比表面积为126 m2/g;当电流密度为1 A/g时,比电容可达到428 F/g.

关键词：铁氰化钴、衍生物、氢氧化钴、赝电容

所属期刊栏目：47

分类号：TQ152

资助基金：大学生创新创业训练计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：76-78