退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响

摘要：

通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(TaN)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、 微观形貌、 电阻性能的影响.结合X射线衍射(XRD)物相分析、 扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,TaN薄膜最佳退火温度为400～450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、 较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43％的高稳定TaN薄膜电阻器.

关键词：电阻器、薄膜、热处理、氮化钽

所属期刊栏目：46

分类号：TQ174.75

资助基金：广州市珠江科技新星项目201610010049

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：39-42