LSI制备具有SiC涂层的石墨材料及其性能研究

摘要：

以鳞片石墨、 氮化硼粉、 氧化钇粉、 氧化铝粉作为掺杂粉末,掺杂粉末与硅粉的混合粉末作为硅源,采用液相渗硅工艺在石墨基体材料表面制备SiC涂层.研究硅源中掺杂粉末含量对渗硅后石墨样品性能与结构的影响.XRD与SEM分析表明,经过1600℃渗硅处理后,硅源中的Si渗透到基体内部与碳发生原位反应生成SiC涂层,SiC涂层表面粘附硅少.当掺杂粉末总质量分数为12％时,制备的SiC涂层具有良好的抗氧化效果,材料在1300℃空气中氧化6 h失重率仅为1.39％.

关键词：石墨、液相渗硅、SiC涂层、氧化失重率

所属期刊栏目：45

分类号：TB35(工程材料学)

在线出版日期：2017-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-31,38