10.3969/j.issn.1001-9677.2015.13.003
类石墨烯二硫化钼的制备与应用研究
类石墨烯二硫化钼( MoS2)是一种具有超薄层状结构并具有直接带隙约为1.9 eV的新颖二维半导体材料,因其特殊的六方晶系结构而具有优异的光学、电学、电化学等方面的性质,成为新的研究热点。本文简单介绍了类石墨烯二硫化钼( MoS2)的几种常用制备方法及优缺点,总结了类石墨烯二硫化钼( MoS2)在纳米电子器件,光电子器件和传感器领域的应用及其研究进展,对类石墨烯二硫化钼( MoS2)未来的发展进行了展望。
二硫化钼、材料制备、电子器件
O613.51(无机化学)
北京工商大学研究生科研学术创新基金2014年。
2015-08-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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