10.3969/j.issn.1001-9677.2012.03.022
Sb掺杂SnO_2表面富集光电子能谱研究
采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了5~20 nm左右、四方金红石Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电阻率,XRD、XPS综合测试分析表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电阻率的变化有较大的影响。掺杂到SnO2粉体中的Sb含量,不会改变SnO2的四方金红石结构,一部分Sb原子固溶到SnO2晶格中,剩余的Sb原子向SnO2粉体表面富集,并取代SnO2表面的Sn原子,形成Sb富集层,相当于一层"栅栏",阻碍心部Sb原子向表面扩散,抑止掺杂SnO2(ATO)晶粒的长大。
Sb掺杂SnO2、表面富集
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TQ131.11
昆明市科技局科技攻关项目20030004
2012-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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