光刻法制作源漏电极的薄膜晶体管

摘要：

采用光刻法制备了薄膜晶体管的银源漏电极，实验中变换不同的刻蚀剂以减少对SiO2栅绝缘层的损害。底接触法蒸镀的酞菁铜作为晶体管器件的有源层，制得的晶体管器件的输出特性曲线显示该器件的输出电流具有趋于饱和的倾向。

关键词：光刻、银电极、晶体管

所属期刊栏目：40

分类号：TN386.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学青年基金项目40903044;江门市科技计划项目江财工[2010]210号

在线出版日期：2012-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：63-64,77