10.3969/j.issn.1001-9677.2011.11.018
Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质
利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶.XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:GdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS品格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;并讨论了相关机理.
CdS、掺杂、半导体纳米晶、水相合成技术、光学性质
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TM9;TM6
教育部新世纪优秀人才计划资助项目NCET-07-0590;四川省应用基础研究资助项目2008JY0039
2011-11-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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