聚合物顶发射发光二极管的研究

摘要：

采用铬(Cr)作为聚合物顶发射发光二极管阳极,得到了一种高效的顶发射发光器件结构.在使用铬作为器件阳极时,首先使用磁控溅射方法使其沉积在玻璃衬底表面,然后使用不同厚度PEDOT:PSS薄膜提高阳极表面的平整度,并得出当PEDOT:PSS厚度为60nm时器件具有最高效率.本实验采用聚合物P-PPV(poly[2-(4-3',7'-dimethyloctyloxy)-phenyl]-P-phenylenevinylene))作为发光层.器件阴极结构为钡/银(Ba/Ag),通过不同厚度阴极的器件对比,得出阴极最适合的结构为Ba(4nm)/Ag(15nm).此时,该结构的器件最大效率达4.41cd/A,最大效率时亮度达到738cd/m2.

关键词：聚合物、顶发射、发光二极管

所属期刊栏目：38

分类号：TM9;S85

在线出版日期：2010-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：119-121,139