椭偏仪结合XRD对磁控溅射制备ZnO薄膜性能研究

摘要：

采用磁控溅射技术在SiO2基底卜制备了ZnO薄膜.通过椭偏仪和X射线衍射仪(XRD)对薄膜光学特性、内部结构的表征,分析了氧气浓度和溅射功率对薄膜折射率、消光系数以及C轴晶格生长的影响.结果表明:氧气浓度的增加使薄膜的折射率变大,消光系数减小;氧气浓度从20%增至40%时,C轴晶向生长增强,当氧气浓度继续增加,C轴晶向生长受抑;溅射功率对薄膜的光学特性影响较小,对薄膜生长结构影响显著;当工作电流由1.0 A增加至1.5 A,C轴择优生长增强,当电流继续增加,C轴晶向减弱.

关键词：ZnO薄膜、椭偏仪、X射线衍射仪

所属期刊栏目：36

分类号：TN3;O48

在线出版日期：2009-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：44-46