半导体生产废水处理的工程实例

摘要：

针对集成电路芯片生产废水成分复杂、无机物含量高的特点,采用水解酸化-改良AAO-高效澄清池-V型滤池-臭氧BAC滤池-吸附滤池工艺进行处理.工程运行结果表明,在综合进水COD的质量浓度为300 mg/L,NH3-N的质量浓度为40 mg/L,氟化物的质量浓度为8 mg/L的情况下,出水COD的质量浓度为30～40 mg/L,NH3-N的质量浓度为0.2～2.0 mg/L,氟化物的质量浓度为1.0～1.2 mg/L,达到GB 3838-2002《地表水环境质量标准》中Ⅴ类标准.采用该工艺可满足大规模半导体芯片生产废水的处理要求.

关键词：集成电路芯片、改良AAO、高效澄清池、臭氧氧化、吸附滤池

所属期刊栏目：51

分类号：X703.1(一般性问题)

在线出版日期：2021-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-79,83