高压下Al0.86 Ga0.14N半导体合金 "双模"拉曼声子行为研究

摘要：

氮化铝镓(Alx Ga1-x N)合金是重要的半导体材料,在发光二极管和紫外探测器等领域都有广阔的应用前景.对高铝成分Alx Ga1-x N合金的高压行为研究还较为稀少.利用原位拉曼光谱对高铝成分的Alx Ga1-x N合金与本征的GaN和AlN进行了对比研究.结果表明,Al原子掺杂引起GaN亚晶格的收缩效应与对本征GaN施加外部正压力的作用效果等效,引起AlN亚晶格的拉伸效应与对本征AlN施加外部负压力的作用效果相似.Al原子掺杂引起Al0.86 Ga0.14 N晶格的收缩效应在晶胞c轴方向上更显著.研究还发现,Al原子掺杂对类AlN拉曼声子振动模高压行为的影响比类GaN更明显.

关键词：氮化铝镓、半导体合金、高压、拉曼散射、"双模"行为、负压力

所属期刊栏目：31

分类号：O521.2(高压与高温物理学)

资助基金：四川大学优秀青年学者自然科学基金2015SCU04A04;中子物理重点实验室研究基金2015BB03

在线出版日期：2017-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：521-528