表面吸附氧原子的GaAs电子结构及光学性质的研究

摘要：

在密度泛函理论的基础上,利用第一性原理计算了表面吸附氧原子的GaAs的电子结构及光学性质.结果表明,表面氧原子的吸附导致表面能带向深部移动,禁带中出现由As4p轨道和Ga 4p轨道构成的杂质能级,以及由As 4s轨道和Ga 4s轨道分裂形成的表面态能级;氧原子的吸附还导致表面d态和sp态电子的重新分布;氧原子的存在改善了晶格周期的缺陷性,改变电子跃迁的过程,影响晶体的光学性质.

关键词：GaAs、表面吸附、第一性原理

所属期刊栏目：27

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金面上项目CE041004;国家教育部留学回国人员实验室建设科研基金2003.18

在线出版日期：2013-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：468-472