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10.3969/j.issn.1000-5773.2009.01.007

Na填充型方钴矿化合物CoSb3的高压合成及电输运特性研究

引用
利用高压合成方法,在压力为2GPa、温度为900K的条件下,以NaN3作为添加剂,成功地合成出了Na填充型的方钴矿化合物CoSb3.X射线衍射(XRD)研究结果表明,当Na填充量达80%时,合成的Na填充型方钴矿化合物CoSb3仍为单相方钴矿结构,没有Na和NaN3等杂质峰.在室温下对不同Na填充量的样品进行了电阻率(ρ)和Seebeck系数(α)的测试,研究了不同Na填充量对样品电阻率、Seebeck系数和功率因子(α2σ)的影响.研究结果表明:室温下,样品的电导率随Na填充量的增加而增大,Seebeck系数的绝对值随Na填充量的增加而减小.当Na填充量为0.4时,样品获得了最高的功率因子(8.72μW·cm-1·K-2),此值高于He等报道的利用热压法制备的CoSb3的值.填充量对样品电输运特性的影响规律与Pei等研究的K填充型CoSb3的研究结果相一致.上述研究结果表明,高压合成技术有利于提高填充型方钴矿化合物的填充量,并有效地提高样品的电输运特性.

CoSb3、NaN3、高压合成、热电材料

23

O521.2(高压与高温物理学)

国家自然科学基金重点项目50731006

2009-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

42-45

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高压物理学报

1000-5773

51-1147/O4

23

2009,23(1)

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