高压下氧化镉弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要：

运用基于密度泛函理论的平面波赝势方法(PWP),计算研究了氧化镉NaCl结构(B1结构)和CsCl结构(B2结构)在不同压力条件下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.交换关联能分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA).通过比较计算和实验得到的晶格常数和体模量不难发现,LDA的计算结果更符合实验值.在高压的作用下,两种结构的导带能级有向高能级移动的趋势,而价带能级有向低能级移动的趋势,因此直接带隙变大.同时,对照态密度分布图及高压下能级的移动情况,分析了CdO两种结构在高压作用下的光学性质.

关键词：氧化镉、密度泛函理论(DFT)、电子结构

所属期刊栏目：21

分类号：O472;O73(半导体物理学)

资助基金：湖北省杰出青年科学基金2006ABB031;中国工程物理研究院基金20050102;中国地质大学武汉校科研和教改项目CUGQNL0716

在线出版日期：2007-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：299-304