10.3969/j.issn.1000-5773.2006.03.012
锗R8相结构的压力效应及电子性质
使用第一性原理方法研究了锗R8相在压力下的电子结构.计算基于平面波基组,使用模守恒赝势和局域密度近似.对锗R8相结构参数的压力依赖性也进行了研究,包括晶格常数、伞状角、原子位置参数随压力的变化情况.计算得到的R8相的能带结构表明,锗R8相属于半金属相.对总的态密度和分波态密度进行了分析,并考虑了轨道分布情况,态密度呈现出带边的锐化.同时得到锗R8相的两种不同键的键长随压力的变化情况,并分析了这种变化的起因.
R8相、第一性原理方法、电子结构
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O521.2;O471.5(高压与高温物理学)
国家自然科学基金50325103
2006-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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