锗R8相结构的压力效应及电子性质
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-5773.2006.03.012

锗R8相结构的压力效应及电子性质

引用
使用第一性原理方法研究了锗R8相在压力下的电子结构.计算基于平面波基组,使用模守恒赝势和局域密度近似.对锗R8相结构参数的压力依赖性也进行了研究,包括晶格常数、伞状角、原子位置参数随压力的变化情况.计算得到的R8相的能带结构表明,锗R8相属于半金属相.对总的态密度和分波态密度进行了分析,并考虑了轨道分布情况,态密度呈现出带边的锐化.同时得到锗R8相的两种不同键的键长随压力的变化情况,并分析了这种变化的起因.

R8相、第一性原理方法、电子结构

20

O521.2;O471.5(高压与高温物理学)

国家自然科学基金50325103

2006-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

291-295

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

高压物理学报

1000-5773

51-1147/O4

20

2006,20(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn