高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高(Ⅱ)--添加增塑剂方法的应用

摘要：

选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1～2443MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数.分别探讨了增塑剂(C4H6O3)含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响,及其对高压下离子电导率和介电常数的影响.实验结果表明:P(EO)16-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后,当其相对浓度nPC/ntotal＝20%时,不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且使其在高压力下的离子电导率提高1(0.1～100MPa)至2(350～800MPa)个数量级,非常有利于在高压环境中应用.

关键词：聚乙烯氧化物薄膜、静水压、离子电导率、介电常数、增塑剂

所属期刊栏目：15

分类号：O521+.21;O631.2+3(高压与高温物理学)

资助基金：石油大学北京校科研和教改项目99-Ⅰ-02

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：161-168