10.3969/j.issn.1000-5773.2000.01.005
Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变
在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x=0.19,0.22)在室温下、20GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明:它们分别在0.7~1.8GPa与8.6GPa左右以及在1.6GPa左右与8.3GPa左右发生了两次电子结构相变;分别在2GPa左右与8.6GPa以上以及在1.6GPa左右与8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变.同时,还在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x=0.21)在室温下、4.5GPa内的p-V关系.实验结果发现它在2.1GPa左右发生了相变.给出了它在相变前后的状态方程.
电阻、电容、状态方程、相变
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O521+.2(高压与高温物理学)
国家重点实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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