10.3969/j.issn.1000-5773.1999.02.009
纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变
在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法,研究了粒径为15~18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明,它们分别在19~17GPa和14GPa左右发生了金属化相变.
纳米晶Si、电阻、电容、金属化相变
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O521.12;O738;O792(高压与高温物理学)
中国科学院资助项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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