华盛顿大学研制出世上最薄的LED

摘要：

华盛顿大学宣布他们已经研制出世上最薄的LED,其只有三个原子的厚度,是目前已有技术能做到的最薄LED了.其重点成份为二硒化钨(tungsten diselenide),是已知最薄的半导体.一片这样的物料只有传统LED不到十分之一的厚度,但依然可以发出可见的亮度.另外,它也很有弹性和坚固的.

机标关键词：华盛顿大学、厚度、有弹性、半导体、原子、硒化、物料、亮度、坚固、技术、成份

分类号：TU9;R19

在线出版日期：2015-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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