半浮栅晶体管将引发芯片革命
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

半浮栅晶体管将引发芯片革命

引用
最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功研制出半浮栅晶体管(Semi-Floating-Gate Transistor,SFGT),有望让电子芯片的性能实现突破性提升.该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文.

浮栅、晶体管、电子芯片、科学家、微电子器件、微电子学、科研团队、复旦大学、性能、提升、授带、上海、论文、成果

TN4;TN3

2015-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

45-46

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

工业设计

1672-7053

23-1516/T

2014,(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn