10.3969/j.issn.1004-910X.2015.10.016
吸收能力、FDI技术溢出门限效应与内资企业生产率增长——基于我国高技术产业的实证分析
本文以中国高技术产业13个细分行业1997~2011年面板数据为研究样本,利用面板门限回归模型对FDI研发活动对内资企业生产率增长的影响,以及内资企业技术吸收能力在FDI技术溢出过程中的门槛特征进行分析.研究结果显示:FDI研发活动对内资企业存在正向技术溢出效应;内资企业研发资金强度和研发人员强度对FDI技术溢出有非线性影响,并存在显著的单门限效应,当超过各自的门限值时,FDI的技术溢出效应均有显著提高.另外,内资企业研发投入、对外开放程度都是生产率增长的重要影响因素,但企业规模对生产率增长没有显著影响.
FDI、技术溢出、面板门限回归、吸收能力、高技术企业、自主创新
F062.9(经济学分支科学)
国家社科基金资助项目11&ZD046;教育部人文社科青年基金项目14YJCZH116;江苏省高校哲学社会科学研究基金资助项目2014SJB125
2015-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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