锂掺杂对氧化铜薄膜光电性能的影响

摘要：

通过脉冲激光沉积的方法在玻璃衬底上制备Li掺杂的CuO薄膜,并研究了Li掺杂对CuO薄膜结构及性能的影响.Li掺杂浓度从 0 wt%增加到 2 wt%时CuO薄膜的结晶性变好,再由 2 wt%增加到 3 wt%时结晶性变差;在掺杂了Li之后,载流子浓度提高了至少 3个数量级,并且呈现出先增大后减小的趋势,迁移率的变化正好与之相反.当掺杂浓度为 2 wt%时,载流子浓度达到最大,为 1.10×1019 cm-3,电阻率低至 76 Ω·cm.这主要是由于不同浓度Li掺杂时,Li原子进入CuO不同的晶格位置造成的.通过Li掺杂,CuO薄膜光电性能有了一定改善,为下一步研究CuO薄膜太阳能电池提供了理论指导.

关键词：脉冲激光沉积、氧化铜、Li掺杂、导电类型、电阻率

所属期刊栏目：22

分类号：TB383.2(工程材料学)

资助基金：陕西省自然科学基础研究计划项目;咸阳职业技术学院科研基金资助项目

在线出版日期：2024-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：43-48