AI组分三角形渐变P-EBL结构AIGaN基DUV LED数值分析

摘要：

效率陡降严重影响A1GaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUVLED的一个瓶颈性问题.对常规电子阻挡层(P-EBL)和A1组分三角形渐变P-EBL两种结构DUV LED进行了数值分析.研究了能带、电子电流、空穴浓度、电场、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱的分布特性.模拟结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规P-EBL结构,A1组分三角形渐变P-EBL结构DUV LED的效率陡降减小了5.85％,改善了DUV LED输出性能.根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是A1组分三角形渐变P-EBL结构提高导带势垒高度和增强空穴在P型区域获得的动能,从而减小电子泄漏,并提高了空穴注入效率.

关键词：紫外发光二极管;A1组分三角形渐变P-EBL;电子泄漏;效率陡降

所属期刊栏目：19

分类号：O471(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;海南省科协青年科技英才创新计划;海南省重大科技项目;国家自然科学基金;中国工程科技发展战略海南研究院咨询研究19-HN-XZ-07;海南省自然基金项目;国家自然科学基金

在线出版日期：2021-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：20-24