不同材料CMOS阵列电串扰特性的分析及比较

摘要：

从传感器的响应及电子扩散原理分析了影响CMOS阵列串扰特性的几个主要因素.选择了锗、硅、砷化镓这几种常见的光电材料,分析并比较了材料特性对CMOS阵列串扰特性的影响.具体分析了三种光电材料在各自光谱响应峰值波长下,不同入射条件和结构参数对应电串扰的输出情况.结果 表明:在相同条件下,锗材料制作的CMOS阵列具有最大的电串扰输出,在结构条件一致的前提下,入射光的功率在200 μW时,锗材料CMOS阵列的串扰比硅和砷化镓材料分别高了58.97 mV、115.81 mV.结构参数对不同材料CMOS阵列具有相同的影响规律,但是锗材料CMOS的串扰变化最为显著,在其他参数不变的情况下,耗尽层宽度为1 μm时,锗材料CMOS的串扰输出比硅和砷化镓材料的分别高了56.67 mV、121.84 mV.分析结果为CMOS阵列材料的选择及串扰抑制技术提供了参考数据.

关键词：CMOS图像传感器;阵列探测器;串扰电压;峰值波长;材料特性

所属期刊栏目：19

分类号：TP212(自动化技术及设备)

资助基金：国家科技重大专项2019ZDZX0038

在线出版日期：2021-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：13-19