铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究

摘要：

为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理,在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上,通过引入离子注入设计了不同的膜层结构.测试结果表明,随着退火温度、溅射功率的改变,薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化,且表现有所区别.对铜铟硒膜进行离子注入后发现,黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失,表面晶格损伤较大;单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大,而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率,双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制.

关键词：铜铟硒膜、离子注入、光电性能、拉曼光谱、禁带宽度

所属期刊栏目：17

分类号：TM914.4

资助基金：广东省自然科学基金2015A030313551;深圳知识创新计划基础研究JCYJ20140418091413560、JCYJ20150625102246712、 JCYJ20170302142339007

在线出版日期：2019-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：66-70